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Web 结果2023年9月20日 碳热还原法 碳热还原法是指在一定的温度下，以无机碳为还原剂与SiO 2 发生氧化还原反应合成SiC 的过程，原 理如图1。反应式如下： SiO 2(s) + C(s) = 纳米碳化硅的制备与应用研究进展Web 结果2023年9月20日 碳热还原法 碳热还原法是指在一定的温度下，以无机碳为还原剂与SiO 2 发生氧化还原反应合成SiC 的过程，原 理如图1。反应式如下： SiO 2(s) + C(s) =
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Web 结果2023年10月27日 该实验采用溶胶-凝胶法制备了两种类型的苯酚树脂，将正硅酸乙酯溶胶作为催化剂得到不同的前体凝胶，最后在1 800 ℃下进行碳热还原，得到了高纯 碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...Web 结果2023年10月27日 该实验采用溶胶-凝胶法制备了两种类型的苯酚树脂，将正硅酸乙酯溶胶作为催化剂得到不同的前体凝胶，最后在1 800 ℃下进行碳热还原，得到了高纯
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Web 结果摘要：. 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 百度学术Web 结果摘要：. 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进
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Web 结果2020年7月20日 以轮胎半焦为碳源，石英砂为硅源，在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不 原料粒度对合成碳化硅的影响研究 - CIPWeb 结果2020年7月20日 以轮胎半焦为碳源，石英砂为硅源，在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不
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Web 结果2017年9月11日 (1) 以酚醛树脂为碳源、以硅藻土为硅源并以Fe为催化剂,采用催化碳热还原反应可在低温合成3C-SiC粉体。最佳反应条件为1400℃/3 h,Fe催化剂的最佳加入量为1.0%。合成的3C-SiC粉体的粒 Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3C-SiC及其机理Web 结果2017年9月11日 (1) 以酚醛树脂为碳源、以硅藻土为硅源并以Fe为催化剂,采用催化碳热还原反应可在低温合成3C-SiC粉体。最佳反应条件为1400℃/3 h,Fe催化剂的最佳加入量为1.0%。合成的3C-SiC粉体的粒
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Web 结果2021年3月1日 碳热还原法合成 3C-碳化硅一维结构. Journal of Alloys and Compounds ( IF 6.2 ) Pub Date : 2021-03-01 , DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.158243. Mula Raju , 碳热还原法合成 3C-碳化硅一维结构,Journal of Alloys and ...Web 结果2021年3月1日 碳热还原法合成 3C-碳化硅一维结构. Journal of Alloys and Compounds ( IF 6.2 ) Pub Date : 2021-03-01 , DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.158243. Mula Raju ,
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Web 结果外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量：. 77. 作者：. 王峰峰. 摘要：. 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理 外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究 - 百度学术Web 结果外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究. 来自 知网. 喜欢 0. 阅读量：. 77. 作者：. 王峰峰. 摘要：. 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理
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Web 结果2005年1月6日 本文介绍了在酸性条件下，用二氧化硅与矿化木材进行碳热还原合成 SiC。 通过控制二氧化硅的量和碳化硅纳米颗粒的尺寸制备了生物形态的多孔碳化 二氧化硅矿化木材碳热还原合成碳化硅陶瓷,Advanced ...Web 结果2005年1月6日 本文介绍了在酸性条件下，用二氧化硅与矿化木材进行碳热还原合成 SiC。 通过控制二氧化硅的量和碳化硅纳米颗粒的尺寸制备了生物形态的多孔碳化
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Web 结果以轮胎半焦为碳源,石英砂为硅源,在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征,探究了 中国科学院机构知识库网格系统: 原料粒度对合成碳化硅的 ...Web 结果以轮胎半焦为碳源,石英砂为硅源,在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。 采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征,探究了
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Web 结果外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究. 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理优势,使用石英砂为原料,采用放电等离子辅助和微波辅助碳热还原反应制备了碳化硅粉体,对制备工艺,物相演变,微观结构,粒度分布等进行了较系统的 ... 外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究 - 百度学术Web 结果外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究. 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理优势,使用石英砂为原料,采用放电等离子辅助和微波辅助碳热还原反应制备了碳化硅粉体,对制备工艺,物相演变,微观结构,粒度分布等进行了较系统的 ...
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Web 结果2016年8月29日 何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体（伊犁师范学院化学与生物科学学院，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆伊宁835000）要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应时间长，所用设备昂贵，合成条件苛刻等缺陷.利用 ... 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 - 豆丁网Web 结果2016年8月29日 何晓燕等：微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体（伊犁师范学院化学与生物科学学院，新疆凝聚态相变与微结构重点实验室，新疆伊宁835000）要：基于碳热还原法制备碳化硅的原理，针对该方法合成成本高，反应时间长，所用设备昂贵，合成条件苛刻等缺陷.利用 ...
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Web 结果2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。. 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 ... 碳化硅的制备方法Web 结果2020年7月20日 碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。. 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法 ...
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Web 结果我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~ 碳热还原法合成碳化硅晶须的研究 - 百度学术Web 结果我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~
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Web 结果碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟. 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进行模拟研究.结果表明,随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 百度学术Web 结果碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟. 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进行模拟研究.结果表明,随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向
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Web 结果2024年1月10日 半导体. 制造工艺. 碳化硅. 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、. 半导体高纯碳化硅(SiC)粉料的合成方法及工艺探究的详解；Web 结果2024年1月10日 半导体. 制造工艺. 碳化硅. 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、.
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Web 结果以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。. 通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。. 结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成的SiC ... 合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 - 百度学术Web 结果以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。. 通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。. 结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成的SiC ...
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Web 结果2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGateWeb 结果2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅
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Web 结果2015年1月13日 《1 前言》 1 前言 氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。 高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。 合成氮化硅的主要途径有3 温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响 - 工程 CAEWeb 结果2015年1月13日 《1 前言》 1 前言 氮化硅（Si 3 N 4 ）是一种完全致密的、高强度、高韧度的高级陶瓷材料，尤以其良好的高温性能得到广泛关注。 高温下的Si 3 N 4 具有高强度、高硬度、抗蠕变、抗氧化和抗热冲击等优良性能。 合成氮化硅的主要途径有3
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Web 结果碳热还原法低温制备碳化硅微粉. 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响.实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温 ... 碳热还原法低温制备碳化硅微粉 - 百度学术Web 结果碳热还原法低温制备碳化硅微粉. 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成,形貌的影响.实验结果表明:在原料中添加Fe2 O3粉,1350℃保温3h就能产生SiC微粉;由X射线衍射分析显示,在1450℃下保温 ...
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Web 结果2017年12月31日 溶胶_凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅.docx,－王冬华（渭南师范学院化学化工系，渭南 714000）摘 要 采用糠醇、正硅酸乙酯作为碳源、硅源，在溶 胶－凝胶过程中加入硝酸钴为催化剂，含氢硅油为结构助剂，通过碳热还原的方法制备出高比表面积碳化硅。 溶胶_凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅.docxWeb 结果2017年12月31日 溶胶_凝胶和碳热还原法制备高比表面积碳化硅.docx,－王冬华（渭南师范学院化学化工系，渭南 714000）摘 要 采用糠醇、正硅酸乙酯作为碳源、硅源，在溶 胶－凝胶过程中加入硝酸钴为催化剂，含氢硅油为结构助剂，通过碳热还原的方法制备出高比表面积碳化硅。
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Web 结果2017年9月11日 2.2 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响 图2给出了加入2.0% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱 Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3C-SiC及其机理Web 结果2017年9月11日 2.2 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响 图2给出了加入2.0% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱
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Web 结果碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社Web 结果碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。
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Web 结果2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ... 碳化硅_百度百科Web 结果2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...
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Web 结果2004年5月14日 其中凝胶碳热还原是 制备碳化硅纳米材料的常用方法， 已有很多这方面的 报道。孟国文等用正硅酸乙酯和蔗糖为原料，通过碳 热还原含碳纳米颗粒的二氧化硅凝胶制备了纳米结 构的碳化硅 [4]。C.H.Liang 等用嵌入纳米铁颗粒的介 孔二氧化硅合成了 SiC 纳米线 碳化硅纳米纤维的溶胶-凝胶法合成 - 百度文库Web 结果2004年5月14日 其中凝胶碳热还原是 制备碳化硅纳米材料的常用方法， 已有很多这方面的 报道。孟国文等用正硅酸乙酯和蔗糖为原料，通过碳 热还原含碳纳米颗粒的二氧化硅凝胶制备了纳米结 构的碳化硅 [4]。C.H.Liang 等用嵌入纳米铁颗粒的介 孔二氧化硅合成了 SiC 纳米线
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Web 结果2008年6月23日 溶胶-凝胶和碳热还原制备小米碳化硅. 在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。. 接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原 ... 科学网—溶胶-凝胶和碳热还原制备小米碳化硅 - 郭向云的博文Web 结果2008年6月23日 溶胶-凝胶和碳热还原制备小米碳化硅. 在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。. 接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原 ...
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Web 结果碳热还原法是一种能降低生产成本和颗粒大小，提高产物纯度和电导率的新型制备方法。P.P.Prosini等以(NH4)2Fe(SO4)2和NH4H2PO4为原料首先合成FePO4，然后用LiI还原三价Fe，并在 还原性气氛 下（Ar:H2=95:5）于550℃加热1 h后合成了最终样品，其在0.1C倍率下的室温初始放电容量为140 mAhg-1。 碳热还原法_百度百科Web 结果碳热还原法是一种能降低生产成本和颗粒大小，提高产物纯度和电导率的新型制备方法。P.P.Prosini等以(NH4)2Fe(SO4)2和NH4H2PO4为原料首先合成FePO4，然后用LiI还原三价Fe，并在 还原性气氛 下（Ar:H2=95:5）于550℃加热1 h后合成了最终样品，其在0.1C倍率下的室温初始放电容量为140 mAhg-1。
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Web 结果1.生成碳化硅（SiC）的主要反应：. SiO2 + 3C -> SiC + 2CO. 这是一种非常常见的碳化硅合成反应，其中二氧化硅（SiO2）和碳（C）在高温下反应，生成碳化硅和一氧化碳（CO）。. 2.生成碳化硅的其他反应：. –二氧化硅和碳热还原反应：. SiO2 + 2C -> SiC + 2CO. –硅和碳化碳 ... 碳化硅反应_百度文库Web 结果1.生成碳化硅（SiC）的主要反应：. SiO2 + 3C -> SiC + 2CO. 这是一种非常常见的碳化硅合成反应，其中二氧化硅（SiO2）和碳（C）在高温下反应，生成碳化硅和一氧化碳（CO）。. 2.生成碳化硅的其他反应：. –二氧化硅和碳热还原反应：. SiO2 + 2C -> SiC + 2CO. –硅和碳化碳 ...
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Web 结果碳化硅的合成方法主要是碳热还原法：碳热还原法合成SiC的主要原料是SiO2和C总反应方程式如下：SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C反应生成气态SiO和CO，接着气态SiO再和固态C反应生成固态SiC和气 碳化硅_百度文库Web 结果碳化硅的合成方法主要是碳热还原法：碳热还原法合成SiC的主要原料是SiO2和C总反应方程式如下：SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C反应生成气态SiO和CO，接着气态SiO再和固态C反应生成固态SiC和气
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Web 结果溶胶—凝胶和碳热还原法合成碳化硅晶须的 研究 来自 万方 喜欢 0 阅读量： 191 作者： 万隆，刘元锋，卢志 ... 以工业硅溶胶和炭黑为主要原料,用溶胶-凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须,获得的产物中碳化硅质量分数高于95%,碳化硅晶须质量分数高于74% 约为 ... 溶胶—凝胶和碳热还原法合成碳化硅晶须的研究 - 百度学术Web 结果溶胶—凝胶和碳热还原法合成碳化硅晶须的 研究 来自 万方 喜欢 0 阅读量： 191 作者： 万隆，刘元锋，卢志 ... 以工业硅溶胶和炭黑为主要原料,用溶胶-凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须,获得的产物中碳化硅质量分数高于95%,碳化硅晶须质量分数高于74% 约为 ...
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