首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进矿山机械的世界，把握前沿动态资讯
Web 结果2023年12月6日 华经观点. 2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析，将会面临更加激烈的市场竞争「图」 刘潘 2023-12-06 10:18. 一、碳化硅产业概 2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析 ...Web 结果2023年12月6日 华经观点. 2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析，将会面临更加激烈的市场竞争「图」 刘潘 2023-12-06 10:18. 一、碳化硅产业概
了解更多
Web 结果2023年9月27日 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理. 近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...Web 结果2023年9月27日 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理. 近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增
了解更多
Web 结果2022年10月9日 对于碳化硅行业来说，目前衬底、器件制造产能受限是行业的主要瓶颈。一块 碳化硅外延片制造过程主要包括：籽晶制造、晶棒制造、切片抛光、外延层生长四 个部分，各个环节的长晶速率 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行 Web 结果2022年10月9日 对于碳化硅行业来说，目前衬底、器件制造产能受限是行业的主要瓶颈。一块 碳化硅外延片制造过程主要包括：籽晶制造、晶棒制造、切片抛光、外延层生长四 个部分，各个环节的长晶速率
了解更多
Web 结果2023年9月27日 与传统硅器件不同，碳化硅器件不能直接制作在衬底上，需要在衬底上生长一层晶相同... - 雪球. 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...Web 结果2023年9月27日 与传统硅器件不同，碳化硅器件不能直接制作在衬底上，需要在衬底上生长一层晶相同... - 雪球. 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业
了解更多
Web 结果2022年8月17日 碳化硅具有众多技术优势，宽禁带特性有助 于提高碳化硅器件的稳定性，使其具备良好的耐高温性、耐高压性和抗辐射性， 显著提升器件功率密度，从 碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代Web 结果2022年8月17日 碳化硅具有众多技术优势，宽禁带特性有助 于提高碳化硅器件的稳定性，使其具备良好的耐高温性、耐高压性和抗辐射性， 显著提升器件功率密度，从
了解更多
Web 结果2023年2月1日 定义：SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。 功率器件又被 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 - East Money ...Web 结果2023年2月1日 定义：SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。 功率器件又被
了解更多
Web 结果主要市场趋势. 竞争格局. 主要玩家. 最新开发. 目录. 本报告的范围. 经常提出的问题. 碳化硅（SiC）市场规模. 碳化硅（SiC）市场分析. 预计到今年年底，全球碳化硅市场 碳化硅市场报告，规模和分析-原文如此 - Mordor IntelligenceWeb 结果主要市场趋势. 竞争格局. 主要玩家. 最新开发. 目录. 本报告的范围. 经常提出的问题. 碳化硅（SiC）市场规模. 碳化硅（SiC）市场分析. 预计到今年年底，全球碳化硅市场
了解更多
Web 结果2023年11月21日 证券研究报告行业深度报告电子 东吴证券研究所 1 / 42 请务必阅读正文之后的免责声明部分 电子行业深度报告 碳化硅车型密集发布，关注国产衬底厂商扩 产、器件厂商上车进展 2023年11月21日 证券分析师 马天翼 执业证书：S0600522090001 maty@dwzq 证券研究报告行业深度报告电子 电子行业深度报告 碳化硅 ...Web 结果2023年11月21日 证券研究报告行业深度报告电子 东吴证券研究所 1 / 42 请务必阅读正文之后的免责声明部分 电子行业深度报告 碳化硅车型密集发布，关注国产衬底厂商扩 产、器件厂商上车进展 2023年11月21日 证券分析师 马天翼 执业证书：S0600522090001 maty@dwzq
了解更多
Web 结果2020年12月8日 01 切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。. 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。. 与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等优点，已 ... 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎Web 结果2020年12月8日 01 切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程 。. 将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。. 与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等优点，已 ...
了解更多
Web 结果2023年9月12日 2023年碳化硅行业政策分析. 1.2023年碳化硅行业受国家政策大力支持，有望迎来更广阔发展空间. 2. 研发支持：国家科技部在《关于加快先进制造业研发中心建设的通知》中提出，支持碳化硅等重点领域建设先进制造业研发中心，提升产业创新能力和核心竞争力 ... 2023年碳化硅行业政策分析：国家政策推动碳化硅行业迈进更 ...Web 结果2023年9月12日 2023年碳化硅行业政策分析. 1.2023年碳化硅行业受国家政策大力支持，有望迎来更广阔发展空间. 2. 研发支持：国家科技部在《关于加快先进制造业研发中心建设的通知》中提出，支持碳化硅等重点领域建设先进制造业研发中心，提升产业创新能力和核心竞争力 ...
了解更多
Web 结果2023年4月26日 2. 碳化硅工艺难度大，衬底制备是最核心环节 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。从原材料到 碳化硅器件需要经历原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、外延生长、晶圆制造和封测等工艺流程。 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...Web 结果2023年4月26日 2. 碳化硅工艺难度大，衬底制备是最核心环节 衬底制备是最核心环节，难度集中在晶体生长和衬底切割。从原材料到 碳化硅器件需要经历原料合成、晶体生长、晶体加工、晶片加工、外延生长、晶圆制造和封测等工艺流程。
了解更多
Web 结果2019年9月2日 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用. 半导体器件是现代工业整机设备的核心，广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域，半导体器件产业主要由四个基本部分组成：集成电路、光电器件、分立器件、传感器，其中集成电路占到了80%以上 ... 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 - 知乎Web 结果2019年9月2日 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用. 半导体器件是现代工业整机设备的核心，广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域，半导体器件产业主要由四个基本部分组成：集成电路、光电器件、分立器件、传感器，其中集成电路占到了80%以上 ...
了解更多
Web 结果2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ... 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...Web 结果2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
了解更多
Web 结果2022年8月17日 目前行业内主要以高纯碳粉、 高纯硅粉为原料合成碳化 硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT 法），在晶体生长炉中 生长不同尺寸的碳化硅晶锭，最后经过加工、切割、研磨、抛光、清洗等多道工 序产出碳化硅衬底。 碳化硅行业研究报告：多应用驱动供给缺口巨大，加速国产替代Web 结果2022年8月17日 目前行业内主要以高纯碳粉、 高纯硅粉为原料合成碳化 硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT 法），在晶体生长炉中 生长不同尺寸的碳化硅晶锭，最后经过加工、切割、研磨、抛光、清洗等多道工 序产出碳化硅衬底。
了解更多
Web 结果2023年2月1日 行业定义与分类 碳化硅制成的功率器件根据电学性能差异分成两类，不同的器件具有不同应用范围 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 2022年 中国SiC碳化硅器件行业 深度研究报告 - East Money ...Web 结果2023年2月1日 行业定义与分类 碳化硅制成的功率器件根据电学性能差异分成两类，不同的器件具有不同应用范围 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、
了解更多
Web 结果2024年2月29日 华为在《数字能源2030》中指出，以SiC为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；SiC的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来2025年前，其价格会逐渐降为硅持平 ... 第三代半导体碳化硅(SIC)器件行业报告的详解； - 知乎Web 结果2024年2月29日 华为在《数字能源2030》中指出，以SiC为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；SiC的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来2025年前，其价格会逐渐降为硅持平 ...
了解更多
Web 结果2024年2月2日 在当今的高科技领域，碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料，正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。其独特的物理、化学和光学特性，使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。尤其在新能源汽车行业，随着预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对碳化硅芯片的需求量也将 ... 碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区Web 结果2024年2月2日 在当今的高科技领域，碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料，正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。其独特的物理、化学和光学特性，使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。尤其在新能源汽车行业，随着预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对碳化硅芯片的需求量也将 ...
了解更多
Web 结果2022年6月16日 碳化硅的加工工艺 碳化硅是一种含有硅和碳的硬质化合物。碳和硅组成的IV-IV族化合物半导体材料。 碳化硅作为一种半导体，在自然界中极其稀有，以矿物莫桑石的形式出现。天然的莫桑石只发现少量，在某些类型的陨石 碳化硅的加工工艺 - 知乎Web 结果2022年6月16日 碳化硅的加工工艺 碳化硅是一种含有硅和碳的硬质化合物。碳和硅组成的IV-IV族化合物半导体材料。 碳化硅作为一种半导体，在自然界中极其稀有，以矿物莫桑石的形式出现。天然的莫桑石只发现少量，在某些类型的陨石
了解更多
Web 结果2024年2月18日 切磨抛属于碳化硅加工环节，目前以国际厂商为主，龙头包括高鸟、Disco，而国产企业正加速追赶，助力行业实现成本优化。碳化硅的 切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市 多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎Web 结果2024年2月18日 切磨抛属于碳化硅加工环节，目前以国际厂商为主，龙头包括高鸟、Disco，而国产企业正加速追赶，助力行业实现成本优化。碳化硅的 切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市
了解更多
Web 结果2024年2月2日 在碳化硅半导体晶圆的后道制程中，需要进行单个晶圆的标记、切割、分片、封装等步骤，最终成为完整的商用芯片，其中晶圆的标记、切割制程目前已逐渐开始使用激光加工设备来取代传统机械加工设备进行处理，具有效率高、效果好、材料损失小等优点。 技术干货 激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用 - 知乎Web 结果2024年2月2日 在碳化硅半导体晶圆的后道制程中，需要进行单个晶圆的标记、切割、分片、封装等步骤，最终成为完整的商用芯片，其中晶圆的标记、切割制程目前已逐渐开始使用激光加工设备来取代传统机械加工设备进行处理，具有效率高、效果好、材料损失小等优点。
了解更多
Web 结果2022年3月9日 碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳 化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等交叉学科应用，其制作过程首先是使晶体生长形成碳化硅晶锭，将其加工和切割形成碳化硅 ... 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇） - 知乎Web 结果2022年3月9日 碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳 化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等交叉学科应用，其制作过程首先是使晶体生长形成碳化硅晶锭，将其加工和切割形成碳化硅 ...
了解更多
Web 结果2021年12月16日 碳化硅加工行业污水的主要特点是悬浮物含量高。 现有的大部分碳化硅生产厂家一般采用沉淀方式，具体有加药混凝沉淀方式去除污染物。 但是，加药混凝沉淀工艺存在基础设施投资大、运行成本高、运行不稳定、操作繁琐的缺陷。 碳化硅加工废水处理方法 - 知乎Web 结果2021年12月16日 碳化硅加工行业污水的主要特点是悬浮物含量高。 现有的大部分碳化硅生产厂家一般采用沉淀方式，具体有加药混凝沉淀方式去除污染物。 但是，加药混凝沉淀工艺存在基础设施投资大、运行成本高、运行不稳定、操作繁琐的缺陷。
了解更多
Web 结果2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇 ... 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎Web 结果2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇 ...
了解更多
Web 结果2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ... 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎Web 结果2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...
了解更多
Web 结果2022年7月31日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界 ... 重磅！2022年中国碳化硅行业政策汇总及解读（全）劳动力 ...Web 结果2022年7月31日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界 ...
了解更多
Web 结果2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。GC-SCDW8300型碳化硅切片机可以提升 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...Web 结果2023年9月27日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，对比砂浆切割提升1倍以上产能，出片率较竞品提升5%以上，截至2023年7月，已在行业形成销售。GC-SCDW8300型碳化硅切片机可以提升
了解更多
Web 结果2022年1月21日 碳化硅衬底加工难点. 四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。. 昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。. 此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大 ... 碳化硅晶片加工过程及难点 - 知乎Web 结果2022年1月21日 碳化硅衬底加工难点. 四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。. 昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。. 此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大 ...
了解更多